Kingston technology kvr26n19s6l/4 módulo de memoria 4 gb ddr4 2666 mhz

- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 45,75 ns
- Placa de plomo: Oro
- Acorde RoHS: Si
- Programador de potencia de voltaje (VPP): 2,5 V
- Voltaje de memoria: 1.2 V
- Latencia CAS: 19
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
- Componente para: PC/servidor
- Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR4
- Memoria interna: 4 GB
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C